• Ekstra yüksek radyan gücü ve radyan yoğunluğu
• Yüksek güvenilirlik
• Düşük ileri voltaj
• Yüksek darbe akımı çalışması için uygun
• Standart T – 1 (ø 5 mm) paket
• Yarım yoğunluk açısı ϕ = ± 17
• Tepe dalga boyu p = 940 nm
• Si fotodetektörlerle iyi spektral uyum

3DU5C Foto Transistör

Metal Kapsüllü silikon fototransistör

Özellikleri

• PN NPN Silikon Fototransistör; Model: 3DU5C
• Voltage Çalışma Gerilimi (Maks.): 10V;
• Ters Arıza Gerilimi: 15V;
• Geçerli Karanlık Akım: 0.3uA
• Fotoğraf akımı: 0.5-1mA;
• Güç Tüketimi: 30mW;
• Dalga Boyu: 880nM
• Dış Malzeme: Metal